Описаны основные математические модели и узловые моменты их использования для
моделирования процессов тепломассопереноса, обусловленного киловольтными элек-
тронами в полупроводниковых материалах. Дифференциальные уравнения тепломас-
сопереноса записаны для одномерных процессов, реализующихся при использовании ши-
роких электронных пучков, и тр¨ехмерных процессов, реализующихся при использова-
нии сфокусированных электронных пучков - электронных зондов. Проведена оцен-
ка возможности использования тр¨ехмерной модели для моделирования распределения
тепла в полупроводниковых мишенях при низких энергиях электронного зонда. Рас-
смотрены некоторые возможности использования предлагаемых подходов для мате-
матического моделирования явлений тепломассопереноса в многослойных структу-
рах.