Высокочастотный er3+,yb3+:yal3(bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой

Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Мальцев, В. В.; Леонюк, Н. И.

Высокочастотный er3+,yb3+:yal3(bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой

Горбаченя, К. Н., Кисель, В. Э., Ясюкевич, А. С., Кулешов, Н. В., Мальцев, В. В., Леонюк, Н. И.

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T12:04:45Z

Аннотация:

Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте следования 60 кГц.

Тип: Статья (Article)

Высокочастотный er3+,yb3+:yal3(bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация