На основании прыжкового гамильтониана для электронов графена прямой диагонализацией гамильтониана была получена плотность состояний, которая в дальнейшем была пересчитана в туннельный ток между графеновой нанолентой и металлом. Выявлено влияние постоянного электрического поля, приложенного параллельно плоскости наноленты на характеристики туннельного тока.