Представлены результаты теоретического исследования зонных структур объемного Ca2Si и
тонких пленок на его основе с поверхностями (001), (010), (100). Установлено, что
объемный Ca2Si и тонкие пленки Ca2Si(010) и (100) являются прямозонными
полупроводниками, а поверхностные состояния приводят к металлическим свойствам
тонких пленок Ca2Si(001).The results of theoretical research of band structures of Ca2Si bulk and Ca2Si thin films with
surfaces (001), (010), (100) are presented. It`s found that Ca2Si bulk and thin film Ca2Si(010) and
(100) are direct bandgap semiconductors while Ca2Si(001) thin films show the metallic properties
because of surface`s states.
