Электроосажденная медь заменила вакумно-осажденный алюминий для межсоединений
элементов интегральных микросхем, изготавливаемых с пректными нормами 130 нм и менее. Это позволило уменьшить электрическое сопротивление и повысить токонесущую
способность металлизации. Установлено, что заполнение канавок и отверстий в межслойном диэлектрике при создании медной металлизации с помощью электроосаждения меди
лимитируется скоростью супер-заполнения наноструктур. Описаны закономерности процесса формирования и свойства электроосажденных медных межсоединений.