Материалов:
875 618

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:19:30Z

Аннотация:

В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO2 и SiO2/Ga2O3. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с диэлектриком SiO2 практически не имеют гистерезиса. Показано, что при температурах 150–300 К в структурах формируется инверсионный слой при больших положительных смещениях. Концентрация дырок в пентацене, определенная из емкостных измерений, превышает 1018 см–3 и практически не зависит от температуры и частоты. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса МДП-структур с диэлектриком SiO2 хорошо согласуются с результатами расчета при помощи метода эквивалентных схем. Для структур со слоем Ga2O3 обнаружена отрицательная дифференциальная проводимость диэлектрика, что требует усложнения эквивалентной схемы. Показана возможность использования низкотемпературных измерений адмиттанса для исследования ловушек в объеме пленки пентацена.

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79-87


Связанные документы (рекомендация CORE)