Обеднение кремния, облученного фокусированным пучком ионов Ga в структуре Si /нематик/ электрод

Гончаров, И. Ю.; Колесников, Д. А.; Кучеев, С. И.; Омельченко, Е. И.; Тучина, Ю. С.

Обеднение кремния, облученного фокусированным пучком ионов Ga в структуре Si /нематик/ электрод

Гончаров, И. Ю., Колесников, Д. А., Кучеев, С. И., Омельченко, Е. И., Тучина, Ю. С.

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T09:00:56Z

Аннотация:

Результаты экспериментального исследования возможности использования фокусированных ионных пучков галлия сканирующего ионного микроскопа для решения задачи безмасочного варьирования порога обеднения кремния в структуре Si/ нематик/электрод

Белгородский государственный университет

Ключевые слова:
физика, физика твердого тела, кристаллография, кремний, жидкокристаллическая решетка, ионные пучки