Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Тепловые процессы в мощном высокоскоростном InGaAs/InP p–i–n-фотодиоде с балочными выводами

Дата публикации: 18.06.2014

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T10:42:21Z

Аннотация:

Методом компьютерного моделирования исследованы тепловые процессы в высокоскоростном фотодиоде с балочными выводами и малой фоточувствительной областью. Установлено, что основной отвод тепла от активной светочувствительной области фотодиода происходит через анодный контакт. Показано, что в результате изменения толщины и ширины анодного контакта, а также при наличии остаточного слоя подложки InP толщиной 2 мкм можно повысить мощность, рассеиваемую прибором, в ~7,5 раза при сохранении прежней температуры активной области прибора, работающего в непрерывном режиме.


Связанные документы (рекомендация CORE)