Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом

Маковская, Т. И.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Данилюк, А. Л.

Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом

Маковская, Т. И., Кривошеева, А. В., Шапошников, В. Л., Данилюк, А. Л.

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T16:30:34Z

Аннотация:

В работе исследованы взаимосвязи электрофизических параметров в однозатворной транзиторной структуре с каналом из 2D-кристалла и проведено моделирование электрических переходных и выходных характеристик такой структуры с учетом выявленных взаимосвязей. Расчеты по предложенным моделям выполнены для 2D- ДТМ. Объектом рассмотрения является МОП-транзисторная структура, включающая расположенные на плоской подложке исток, 2D-кристалл в качестве канала, полевой затвор и сток.

Ключевые слова:
публикации ученых, транзисторная МОП-структура, 2D-канал, дихалькогениды тугоплавких металлов

Тип: Статья

Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация