Для индивидуального прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов можно использовать метод имитационных воздействий. В него основу положен принцип статистической аналогии между изменениями параметра, обусловленными длительным функционированием транзисторов, и изменениями этого же параметра, вызываемыми действием в начальный момент времени имитационного фактора, не приводящего к уменьшению рабочего ресурса прибора.