Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии

Костюченко, Владимир Яковлевич; Протасов, Дмитрий Юрьевич; Андрусов, Юрий Борисович; Денисов, Игорь Андреевич; Войцеховский, Александр Васильевич

Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии

Костюченко, Владимир Яковлевич, Протасов, Дмитрий Юрьевич, Андрусов, Юрий Борисович, Денисов, Игорь Андреевич, Войцеховский, Александр Васильевич

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:15:48Z

Аннотация:

Изучена фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках кадмий – цинк – теллур. Из магнитополевой зависимости сигнала фотопроводимости при освещении пленки со стороны подложки или со стороны свободной поверхности определены различные значения подвижности неосновных носителей заряда (электронов). Показано, что для математического описания сигнала фотопроводимости в магнитном поле можно использовать электроны двух типов – «быстрые» и «медленные», а также «тяжелые» дырки.

Ключевые слова:
кадмий-ртуть-теллур, варизонные слои, фотопроводимость, фотомагнитные эффекты

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 3-8