Дата публикации: 2011

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:20:40Z

Аннотация:

Исследуется ияние дефекто наведенных облучением быстрыми нейронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (p-Si) и контрольном p-Si методом измерения коэфициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда p-Si быстрее, чем p-Si. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.

Ключевые слова:
нейтроны быстрые, кремний ядерно-легированный, Холла эффект, экспериментальные исследования

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 5. С. 75-78