Избыточность в полупроводниковых интегральных микросхемах памятиРассмотрены вопросы разработки и производства избыточных
полупроводниковых микросхем памяти
Измерение электрического потенциала поверхности с использованием статического зондаВоробей, Р. И.,
Гусев, О. К.,
Жарин, А. Л.,
Микитевич, В. А.,
Пантелеев, К. В.,
Самарина, А. В.,
Свистун, А. И.,
Тявловский, А. К.,
Тявловский, К. Л. полупроводниковых приборов. Целью работы является расширение области применения методик бесконтактного контроля и
Дальнейшее развитие приборов силовой электроники – использование широкозонных полупроводников преимущество использования широкозонных полупроводников в качестве материалов для
полупроводниковых приборов Особенности локальной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводниковых систем As–Ge–Se(Te) локальной структуры, на уровне ближнего и среднего порядков, халькогенидных стеклообразных
полупроводниковых Физика. Ч. 6 : Квантовые электронные свойства твердых тел полупроводниках; принципы функционирования ряда
полупроводниковых приборов - диодов, биполярных и полевых
Восстановительная среда для пайки пайке, и может быть использовано для пайки
полупроводниковых приборов мягкими припоями.
Абрамов Игорь Иванович : биобиблиографический список компактных
эквивалентных схем
полупроводниковых приборов, электронной
интерпретации функционирования мозга