Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 937

Страница 11 из 94

Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора
Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Турцевич, А. С., Шведов, С. В., Филипеня, В. А., Черный, В. В., Явид, В. Ю., Янковский, Ю. Н., Дубровский, В. А.
Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время
Конструктивно-технологическое усовершенствование диодов Шоттки с МОП канавочной структурой
Котов, В. С., Голубев, Н. Ф., Борисенко, В. Е.
и технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел- полупроводник (МОП) канавочной
Оптимизация конструктивно-технологических параметров и верификация электрических характеристик МОП-транзистора с 0,35 мкм проектными нормами
Чан, Туан Чунг, Стемпицкий, В. Р., Сорока, С. А.
,35 мкм МОП-транзистора, а также на характеристики аналоговых и цифровых схемотехнических решений на
Физика полупроводниковых газовых сенсоров
Гаман, Василий Иванович
МОП-структуры кремниевые
Зарядовые состояния МОП-структур
Жаворонок, И. А., Тихон, О. И.
Проведен анализ процессов, происходящих на поверхности МОП-структур во время плазменной обработки
Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом
Маковская, Т. И., Кривошеева, А. В., Шапошников, В. Л., Данилюк, А. Л.
- ДТМ. Объектом рассмотрения является МОП-транзисторная структура, включающая расположенные на плоской
Электрохимическое осаждение сплава олово-никель с внедрением наноразмерного диоксида титана
Пянко, Анна Владимировна, Черник, Александр Александрович, Алисиенок, Ольга Александровна
осаждения покрытия олово-никель-наноразмерный диоксид титана, изучена структура и морфология поверхности
Сорбционно-люминесцентное определение Cu в воде с использованием наноразмерных ионитов
Рабцевич, Екатерина Андреевна
Предложен наноразмерный сорбент на основе сополимера стирола с дивинилбензолом, содержащий
Светопреобразующие покрытия для светодиодных источников света
Курильчик, А. А.
температурным коэффициентом линейного расширения (ТКЛР), близким к ТКЛР подложки, и наноразмерный наполнитель
InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
Брудный, Павел Александрович, Великовский, Леонид Эдуардович, Сим, Павел Евгеньевич
InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона

Страница 11 из 94

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core