Материалов:
1 081 645

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 1081645

Страница 6 из 108165

Effectiveness of transcutaneous electrical neurostimulation for treatment of diabetic distal polyneuropathy
Al Zamil M., Kulikova N., Bezrukova O., Volkova I., Stahurlova V.
Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN
Юник, А. Д., Соловьёв, Я. А.
/120/40/40 нм к гетероструктуре GaN/AlGaN с двумерным электронным газом на сапфировой подложке. Быстрый
Innovative Approaches to Representing Learning Material in the Educational Literature on Culturology
Faizrakhmanova A.L., Kortunov V.V, Nesova N.M.
Structural and textural properties of pillared montmorillonite at intercalation of large Al- and Al/Ce-polyhydroxocomplexes
Butman M., Belozerov A., Karasev N., Kochkina N., Khodov I., Ovchinnikov N.
and fluorescent spectroscopy at different concentrations of Al3+ ions (2.5–5.1 M) in solution. Textural properties
Atopic dermatitis: pathogenetic features and a new method for its combined treatment using pantogam and biotin
Tishchenko A.L., Markina N.V., Tishchenko L.D., Shishkina G.I., Sergeeva N.S., Efanova N.V.
Specifics of formation of real estate market in AlC
Popov N.
Specifics of formation of real estate market in AlC
Формирование ALGaN/GaN гетероструктур для силовой и СВЧ электроники с помощью аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии
Юник, А. Д., Yunik, A. D.
В докладе представлены результаты в создании гетероструктур AlGaN/GaN молекулярно
Increasing efficiency of GaN HEMT transistors in equipment for radiometry using numerical simulation
Tikhomirov V.G., Gudkov A.G., Agasieva S.V., Dynaiev D.D., Popov M.K., Chizhikov S.V.
The numerical impact modeling of some external effects on devices based on AlGaN/GaN
Effect of n- and p-doping on vacancy formation in cationic and anionic sublattices of (In,Al)As/AlAs and Al(Sb,As)/AlAs heterostructures
Shamirzaev, Timur S., Atuchin, Victor V.
) formed in the cationic and anionic sublattices of AlAs is studied. We demonstrate experimentally
Аммиачная молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур AlGaN на подложках сапфира
Ржеуцкий, Н. В., Соловьев, Я. А., Войнилович, А. Г., Свитенков, И. Е., Петлицкий, А. Н., Жигулин, Д. В., Луценко, Е. В., Rzheutski, M. V., Solovjov, Ja. А., Vainilovich, A. G., Svitsiankou, I. E., Pyatlitski, A. N., Zhyhulin, D. V., Lutsenko, E. V.
В работе с целью разработки технологии роста гетероструктур на основе Al(Ga)N исследовалось влияние

Страница 6 из 108165

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core