Материалов:
887 865

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

По вашему запросу найдено документов: 667102

Страница 1 из 66711

Облученные гамма-квантами пленки позитивного резиста ФП9120 на пластинах монокристаллического кремния

Аппаратное обеспечение контроля долгоживущих β-излучающих радионуклидов, образующихся при производстве радиофармпрепаратов на основе 18F

Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4

Дефектообразование за пределами области внедрения ионов в полимерных пленках

Особенности лавинного пробоя диффузионных p-n - переходов на основе кремния

Релаксация упругих напряжений у поверхности позитивного фоторезиста при высокоэнергетичном воздействии

Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия

Влияние высокоэнергетичной ионной имплантации на изменение физико-механических свойств монокристаллов кремния

Особенности имплантации ионов Р+, В+ И Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантиро- ванные ионами B+, Р+ и Sb+ c

Одновременное измерение γ- и β-излучающих радионуклидов, образующихся в процессе производства радиофармпрепаратовПроведены одновременные измерения γ- и β-излучающих радионуклидовв регенерированной воде и

Страница 1 из 66711