Способ получения паяемого покрытия на тонкой пленке алюминия, что на пленке формируют контактный подслой цинка путем его осаждения
в течение 15-60
с из водного
Установка лазерного геттерирования кремниевых пластинВечер, Д. В.,
Пилипенко, В. А.,
Горушко, В. А.,
Сякерский, В. С.,
Петлицкая, Т. В.,
Vecher, D. V.,
Pilipenko, V. A.,
Gorushko, V. A.,
Syakersky, V. S.,
Petlitskaya, T. A. воздействия
с целью геттерирования точечных дефектов и
загрязняющих примесей.The results are offered
Особенности вертикального масштабирования при создании биполярных микросхемПилипенко, В. А.,
Понарядов, В. В.,
Горушко, В. А.,
Шведов, В. С.,
Сякерский, В. С.,
Петлицкая, Т. В.,
Pilipenko, V. A.,
Ponaryadov, V. V.,
Gorushko, V. A.,
Shvedov, V. S.,
Syakersky, V. S.,
Petlitskaya, T. V. Показано, что использование быстрых термических обработок
в технологическом процессе
создания
Влияние лазерного геттерирования на параметры биполярных интегральных микросхемПилипенко, В. А.,
Вечер, Д. В.,
Горушко, В. А.,
Понарядов, В. В.,
Сякерский, В. С.,
Петлицкая, Т. В.,
Pilipenko, V. A.,
Vecher, D. V.,
Gorushko, V. A.,
Ponaryadov, V. V.,
Syakersky, V. S.,
Petlitskaya, T. V. дислокаций
в эпитаксиальной пленке и исключения
возникновения проводящих шунтов
в области активных
Исследование профилей на границе раздела Al–Al2O3 при глубоком локальном анодировании AlСокол, В. А.,
Шиманович, Д. Л.,
Сякерский, В. С.,
Sokol, V. A.,
Shimanovich, D. L.,
Syakersky, V. S. Представлена теоретическая модель поведения границы раздела плотный–пористый оксид
алюминия
в Влияние процесса оплавления легкоплавких стекол на их зарядовые свойства и перераспределение примеси в ионно-легированных слояхВечер, Д. В.,
Пилипенко, В. А.,
Горушко, В. А.,
Сякерский, В. С.,
Петлицкая, Т. В.,
Vecher, D. V.,
Pilipenko, V. A.,
Gorushko, V. A.,
Syakersky, V. S.,
Petlitskaya, T. V. термической обработки (БТО) на их зарядовые свойства и перераспределение примеси
в ранее сформированных ионно