По вашему запросу найдено документов: 49
Страница 1 из 5
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11.физика полупроводников
Упорядоченное и неупорядоченное: физика естественных и искусственных объектовУпорядоченное и неупорядоченное: физика естественных и искусственных объектов
Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университетефизика полупроводников
Влияние длины и формы дипольных антенн на основе SI-GaAs на спектры генерации терагерцового излучения
Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения
Страница 1 из 5
Фасеты
Новости проекта
Новости
-
2021-09-22, 21:09Cambridge University Press и Университет Вайоминга заключили соглашение об открытом доступе
-
2021-09-20, 21:07Журнал ION NAVIGATION переходит на открытый доступ с 1 января
-
2021-09-17, 11:39Журналы AAS полностью перейдут на модель открытого доступа
-
2021-09-15, 00:38Для перехода на зеленую энергию необходимо больше научной коммуникации
-
2021-09-12, 10:08Австралия отказалась от идеи запретить препринты
Партнеры
Индексация
