Дата публикации: 2011

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T12:53:55Z

Аннотация:

С появлением силовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) появилась возможность создания на их базе мощных, высокоэффективных генераторов, обладающих значительными преимуществами по сравнению с теми, которые построены на генераторных лампах.

Тип: Статья (Article)