Материалов:
1 081 645

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Анализ конструкций современного технологического оборудования для обработки полупроводниковых пластин в зоне послесвечения СВЧ-разряда

Дата публикации: 2015-04

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T06:59:35Z

Аннотация:

Общепринятая концепция индивидуальной плазменной обработки пластин и непрерывное увеличение их диаметра обусловливают необходимость разработки неких универсальных подходов построения плазменных реакционных камер и проведения соответствующих технологических плазменных процессов.Травление тонких пленок поликремния, Si3N4, SiO2, MoSi, Mo, TiSi, Al, полиамида и удаление фоторезиста осуществляется в установках индивидуальной обработки трех основных типов, различающихся конструктивными особенностями реакторных блоков и компоновкой вакуумных систем в зависимости от конкретного технологического процесса.

Тип: Article


Связанные документы (рекомендация CORE)