Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:08:20Z

Аннотация:

В данной работе сравнивалась фононная составляющая теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур на основе Si/Ge с различными ориентациями, различным количеством слоёв и различной толщиной слоёв Si и Ge, представленных на рисунке 1 Расчет проводился с помощью метода равновесной молекулярной динамики, реализованного в пакете LAMMPS.

Тип: Статья