Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe 3 Si/p-Si structure - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe 3 Si/p-Si structure

Tarasov, A. S., Lukyanenko, A. V., Rautskii, M. V., Bondarev, I. A., Smolyakov D.A, Tarasov I.A, Yakovlev I.A, Varnakov S.N, Ovchinnikov, S. G., Baron, F. A., Volkov, N. V.

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2020-06-02T17:15:47Z

Ключевые слова:
29.19

Тип: Journal Article

Другие версии документа

Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ

ТГУ

Elpub

СФУ

Webpublishers

Индексация

BASE

WorldCat

OpenAIRE

EDS

core