В рамках полуклассического подхода к изучению взаимодействия света с веществом проведен расчет нелинейного отклика оптической структуры, включающей тонкий граничный слой плотной резонансной среды, на когерентное световое поле. На основе полученных аналитических соотношений возможна характеристика спектральной развертки поглощения и дисперсии в диапазоне частот, соответствующем оптическому резонансу, для разной степени насыщения резонансного перехода. Для модельных параметров полупроводниковых квантоворазмерных структур предсказывается возможность гистерезисного хода дисперсионной зависимости диэлектрической восприимчивости граничного слоя.