Целью работы являлись разработка модели твердофазной рекристаллизации нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин после химико-механической полировки с применением импульсной фотонной обработки и ее математическое описание. Показано, что за счет снижения энергии активации скорости рекристаллизации нарушенного слоя кремния при его нагреве световыми импульсами до температуры ≥ 950 оС происходит полная его рекристаллизация. Описан процесс рекристаллизации с применением БТО, и определены параметры светового импульса, минимизирующие температурную нагрузку на кремниевую пластину.