Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2024-10-01T21:20:17Z

Аннотация:

Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентрации легирующей примеси, основанная на измерении адмиттанса МДП-структур в диапазоне частот 50 кГц – 1 МГц. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем в этом частотном диапазоне имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Рассчитан профиль распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника и показано, что в p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем концентрация легирующей примеси имеет минимум вблизи границы раздела с диэлектриком.

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 2. С. 105-114