Применение аналитической модели распределения электрического потенциала для расчета динамики заряженных частиц в пристеночном слое и распыления обращенных к плазме поверхностей
Получены простые аналитические формулы для расчета распределения потенциала электрического поля в магнитном предслое и дебаевском слое около обращенных к плазме поверхностей. Показано, что рассчитанные профили потенциала хорошо согласуются с зависимостями распределения потенциала от угла наклона магнитного поля, полученными при решении уравнений магнитной гидродинамики (МГД) и при моделировании с помощью PIC-кода SPICE2. Получены зависимости углового распределения ионов, падающих на поверхность обращенных к плазме элементов, а также зависимость коэффициента распыления от наклона магнитного поля. Результаты расчётов показывают, что с точки зрения роста распыления критичными являются области поверхности, на которые магнитное поле приходит под скользящими углами.