Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

Бурмистров, Евгений Романович; Авакянц, Лев Павлович; Кутырев, Глеб Юрьевич

Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

Бурмистров, Евгений Романович, Авакянц, Лев Павлович, Кутырев, Глеб Юрьевич

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2024-10-01T21:24:35Z

Аннотация:

Путем численного самосогласованного решения системы уравнений Шредингера и электронейтральности Пуассона рассчитаны зонные диаграммы светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InxGa1−xN/GaN. Изучено влияние электрон-фононного взаимодействия, непараболичности закона дисперсии и гибридизации волновой функции на значения эффективной массы основных носителей заряда в квантовых ямах InxGa1–xN/GaN. Красное смещение 2Д-плазмонных резонансов связывается с температурной перенормировкой эффективной массы двумерных носителей. Для описания температурной зависимости эффективной массы использована функция смещения 2Д-плазмонной резонансной частоты.

Ключевые слова:
гетероструктуры, эффективная масса, закон дисперсии, температурная перенормировка, красное смещение

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 7. С. 15-25