Описана физико-математическая модель процессов радиационной электризации диэлектриков с открытой поверхностью, облучаемых моноэнергетическими электронами с энергией 10–30 кэВ. В модели учтена взаимосвязь процессов поверхностного и объёмного заряжения для заданных условий конструкционного окружения, которая объясняет эффект аномально длительного заряжения диэлектрика после снижения в процессе заряжения подлётной энергии первичных электронов ниже 2-й критической энергии для коэффициента вторичной электронной эмиссии. Исследована начальная быстрая фаза заряжения высокоомного диэлектрика (Al₂O₃) и показано, что в процессе заряжения по мере приближения подлётной энергии электронов ко 2-й критической энергии происходит частичное подавление вторичной электронной эмиссии из-за отрицательной зарядки открытой поверхности диэлектрика и формирования на этой основе приповерхностного инверсионного электрического поля, тормозящего выход электронов эмиссии.