В данной работе проведено моделирование оптических процессов в структуре тонкопленочного ИК-светодиода методом конечной разности во временной области. Исследованы такие параметры, как пропускание, эффективность распространения электромагнитных волн в диапазоне 1,25–1,35 мкм. Показано, что коэффициент пропускания уменьшается при прохождении функциональных слоев до 35%. В заключение предложены стратегии оптимизации функциональных слоев.