Путем численного квантово-механического моделирования методами из первых принципов
исследована зонная структура монослоя дисульфида рения в условиях его аксиального
деформирования растяжением в направлении (100). Установлено, в области исследованных
деформаций (до 5% с шагом 0,5%) сохраняется кристаллическая структура с пространственной
группой P1
с небольшим компенсирующим растяжение изменением углов и длин межатомных связей.
Показано, что в области исследованных деформаций материал сохраняет полупроводниковые
свойства с равномерным уменьшением ширины запрещенной зоны на 0,32 эВ. Ожидается, что
дальнейшая деформация будет приводить к переходу в непрямозонный полупроводник с
уменьшением ширины запрещенной зоны.