Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T12:24:42Z

Аннотация:

В работе с помощью метода молекулярной динамики проведено исследование влияния поверхности и границ раздела на анизотропию продольной теплопроводности слоистых Si/Ge плёнок с (001), (110) и (111) ориентациями. Показано, что анизотропный тепловой транспорт в слоистых Si/Ge плёнках характерен для (001) и (110) ориентаций, в то время как в Si/Ge сверхрешётках анизотропия сохраняется только в случае (110) ориентации. Обсуждено изменение фононных дисперсионных кривых, а также влияние фонон-поверхностного и фонон-интерфейсного рассеяния в возникновении анизотропии.

Тип: Article