Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T12:24:43Z

Аннотация:

Получены закономерности зарядовой неустойчивости транзисторной структуры с двумерным каналом, вызванной интерфейсными состояниями, в которой в качестве материала двумерного канала рассматривается дихалькогенид переходного металла (ДПМ). Рассмотрено влияние на электрофизические параметры транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны материала канала, толщины подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний. Показано, что в условиях неустойчивости, вызываемой ростом емкости интерфейсных состояний, зависимости химического потенциала, концентрации электронов от потенциала полевого электрода имеют скачкообразный вид. Такой эффект обусловливается рассогласованием электронейтральности и статистики Ферми-Дирака.

Тип: Article