Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:40:40Z

Аннотация:

В работе представлены результаты расчета и экспериментальных исследований распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда в пластинах арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), полученных путем высокотемпературной диффузии хрома в пластины арсенида галлия электронного типа проводимости (n-GaAs). Продемонстрировано, что неоднородность распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда определяется, в частности, неоднородностью распределения донорной примеси в пластинах n-GaAs.

Тип: статьи в сборниках

Источник: Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов. Томск, 2024. С. 19-21