Исследованы особенности генерации линий лазерного излучения при высокоэнергетической диодной накачке кристаллов Er:BaY₂F₈. Линии УФ и видимого лазерного излучения эффективно формируются путем нелинейного самосложения частот линий индуцированного излучения Er³⁺ на 541 и 553 нм с соответствующими частотами ИК-линий Er³⁺ при накачке кристаллов Er:BaY₂F₈ пучком лазерного диода с длиной волны 457 нм.