Устойчивость к облучению (HgSe)3(In2Se3)&lt;Mn&gt;

Козярский, Иван Петрович; Маслюк, Владимир Трохимович; Марьянчук, Павел Дмитриевич; Майструк, Эдуард Васильевич; Козярский, Дмитрий Петрович; Мегела, Иван Георгиевич; Лашкарев, Георгий Вадимович

Устойчивость к облучению (HgSe)3(In2Se3)

Козярский, Иван Петрович, Маслюк, Владимир Трохимович, Марьянчук, Павел Дмитриевич, Майструк, Эдуард Васильевич, Козярский, Дмитрий Петрович, Мегела, Иван Георгиевич, Лашкарев, Георгий Вадимович

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:40:54Z

Аннотация:

Представлены результаты исследований влияния облучения электронами на электрофизические параметры кристаллов (HgSe)₃(In₂Se₃), являющихся полумагнитными полупроводниками со стехиометрическими вакансиями. Показано, что облучение (HgSe)₃(In₂Se₃) высокоэнергетическими электронами (Ee = 10 МэВ, доза D = 10¹⁶ см⁻²) слабо влияет на электрофизические и магнитные свойства, что свидетельствует об их высокой радиационной стойкости.

Ключевые слова:
кристаллы, электропроводность, магнитная восприимчивость, кластеры

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 7. С. 3-7