Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si

Духан, Рахаф М. Х.; Коханенко, Андрей Павлович; Лозовой, Кирилл Александрович

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si

Духан, Рахаф М. Х., Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:40:55Z

Аннотация:

Рассматриваются инфракрасные фотодетекторы с квантовыми точками германия на кремнии. Рассчитываются некоторые характеристики таких детекторов, а именно: темновой ток и обнаружительная способность в режимах ограничения фоном и генерационно-рекомбинационными шумами. Проводится также сравнение рабочих характеристик инфракрасных детекторов на квантовых точках с детекторами на основе HgCdTe.

Ключевые слова:
квантовые точки, кремний, германий, наноструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, фотодетекторы, темновой ток, обнаружительная способность

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 7. С. 8-14