Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:40:55Z

Аннотация:

Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложки и скорости роста кремния. С помощью дифракции быстрых электронов на отражение определены условия перехода от двухдоменной структуры поверхности Si(100) к однодоменной структуре, связанного с формированием двухатомных ступеней. Показано, что влияние увеличения температуры подложки на переход к однодоменной структуре носит немонотонный характер: в области относительно низких температур происходит формирование однодоменной поверхности, а в области высоких температур – двухдоменной. Переход к однодоменной структуре за время проведения эксперимента возможен лишь при увеличении скорости роста кремния выше некоторого минимального значения.

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 7. С. 22-26