Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)

Кукенов, Олжас Игоревич; Дирко, Владимир Владиславович; Майер, Ксения Александровна

Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)

Кукенов, Олжас Игоревич, Дирко, Владимир Владиславович, Майер, Ксения Александровна

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:41:38Z

Ключевые слова:
кремний, гомоэпитаксиальный рост, диффузия атомов, экспериментальные исследования

Тип: статьи в сборниках

Источник: Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г.. Томск, 2024. С. 52-

Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация