Рассмотрено поглощение линейно-поляризованного излучения в полупроводниковой размерно-квантованной яме, связанное как с оптическими переходами между ветвями легких и тяжелых дырок, так и между размерно-квантованными подзонами. Выяснены основные черты поглощения света в бесконечно глубокой симметричной яме, характеризуемые внутризонным поглощением света и связанные с прямыми оптическими переходами дырок между подзонами валентной зоны полупроводника, которые формируются за счет размерного квантования.