Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:10Z

Аннотация:

Проведена оценка коэффициента усиления, полосы пропускания и эффективности поглощения лавинных фотодиодов Ge/Si с наноотверстиями для захвата фотонов с длиной волны 850 нм. Предложенная конструкция Ge/Si лавинного фотодиода с ловушками для фотонов позволяет добиться значительного увеличения усиления, полосы пропускания и эффективности поглощения. Продемонстрировано, что существует возможность улучшения отклика фотоприемника без ущерба для коэффициента усиления и быстродействия устройства. Результаты работы могут применяться для проектирования лавинных фотодиодов Ge/Si с использованием ловушечных структур с высоким усилением, быстродействием и эффективностью поглощения в перспективных технологиях, таких как флуоресцентная микроскопия с измерением времени жизни, позитронно-эмиссионная томография, квантовые коммуникационные системы, лидарные технологии и 3D-системы визуализации.

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 2. С. 5-13


Связанные документы (рекомендация CORE)