Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов

Кукенов, Олжас Игоревич; Соколов, Арсений Сергеевич

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов

Кукенов, Олжас Игоревич, Соколов, Арсений Сергеевич

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:13Z

Аннотация:

В работе представлено исследование длины димерных рядов сверхструктуры 2xN в зависимости от температуры в диапазоне 200–550 °С. Обнаружено изменение длины димерного ряда при росте Ge на Si(100) от температуры роста. Увеличение длины димерного ряда говорит о росте упругих напряжений в системе, а значит, может влиять на критическую толщину слоя Ge на Si(100)

Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, дифракция быстрых отраженных электронов, метод, сверхструктуры, экспериментальные исследования

Тип: статьи в сборниках

Источник: Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г.. Томск, 2023. С. 68-69