Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:15Z

Аннотация:

Одним из важнейших электрофизических параметров полупроводниковых материалов, определяющих быстродействие как полупроводниковых детекторов, так и, в целом, всех приборов микроэлектроники, является дрейфовая подвижность носителей заряда. Известные на сегодняшний день экспериментальные методы измерения дрейфовой подвижности проводятся при различных аналитических приближениях, что может приводить к значительной погрешности при ее расчете. В данной работе проведено численное моделирование динамики переноса фотоносителей в детекторных HR-GaAs:Cr структурах в среде приборно-технологического проектирования TCAD Sentaurus.

Тип: статьи в сборниках

Источник: Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г.. Томск, 2023. С. 40-41