Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

Лозовой, Кирилл Александрович; Дирко, Владимир Владиславович; Кукенов, Олжас Игоревич; Коханенко, Андрей Павлович

Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

Лозовой, Кирилл Александрович, Дирко, Владимир Владиславович, Кукенов, Олжас Игоревич, Коханенко, Андрей Павлович

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:20Z

Аннотация:

Представлены результаты исследования процессов эпитаксиального роста германия на кремнии с кристаллографической ориентацией (111) в широком интервале температур. С помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов определены температурные зависимости продолжительности стадии перехода из сверхструктуры 7 x 7 в 5 x 5 и значения критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в диапазоне от 250 до 700 °C. Показано, что время перехода от сверхструктуры 7 x 7 к сверхструктуре 5 х 5 зависит от температуры эпитаксиального роста.

Ключевые слова:
эпитаксиальный рост, германий, кремний, экспериментальные исследования, сверхструктурные переходы

Тип: статьи в сборниках

Источник: XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2023. С. 288-289