Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Горн, Дмитрий Игоревич; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич (физик); Сидоров, Георгий Юрьевич; Якушев, Максим Витальевич

Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:22Z

Аннотация:

В работе в широком диапазоне условий проведено исследование влияния постоянной ИК-подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структуры, на основе nBn из Hg1-XCdXTe, выращенных методом МЛЭ со сверхрешеткой в барьерной области. Определено влияние постоянной ИК-подсветки на зависимости емкости и дифференциальной проводимости от напряжения смещения на различных частотах тестового сигнала.

Ключевые слова:
МДП-структуры, теллурид кадмия-ртути, ИК-подсветка, экспериментальные исследования

Тип: статьи в сборниках

Источник: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11-15 марта 2024 г., Нижний Новгород. Н. Новгород, 2024. Т. 2. С. 606-607

Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация