Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe

Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Горн, Дмитрий Игоревич; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич (физик); Сидоров, Георгий Юрьевич; Якушев, Максим Витальевич

Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe

Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:25Z

Аннотация:

Представлены результаты экспериментальных исследований влияния постоянной подсветки на ВАХ униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных слоев КРТ со сверхрешеткой в барьерной области в широком диапазоне температур. Проведен анализ объемной и поверхностной компонент полного тока через структуру в темновом режиме и при воздействии подсветки.

Ключевые слова:
экспериментальные исследования, униполярные барьерные системы, теллурид кадмия-ртути, электрические характеристики

Тип: статьи в сборниках

Источник: XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2024. С. 285-286