Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-05-27T12:29:14Z

Аннотация:

Введение водорода в кремний – одна из технологических операций, позволяющая улучшить качество микроэлектронных структур. Однако, после введения водорода в зависимости от многих факто-ров в решетке Si могут возникать напряжения растяжения\сжатия, формироваться SixHy комплексы. Методом комбинационного рассеяния (КР), регистрируя изменения локальных колебательных мод в спек-тральных диапазонах 521 ±20, 2100 ±100, 4161 ±20 cm–1, можно идентифицировать изменения, произошедшие с поверхностью Si. Пластины Cz-Si p-типа обрабатывались в DC плазме водорода при U = 1, 2,5 и 5 кВ, T = 350 оС, и изучались с использованием метода КР. Проведенные исследования позволили зафиксировать изменение интенсивности и местоположения линий в зависимости от условий плазменной обработки. Кроме этого, возможно, зарегистрирован сигнал от орто-пара молекулы водорода.

Тип: Article