Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-05-27T12:29:15Z

Аннотация:

Методом Монте-Карло проведено моделирование переноса электронов в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающими затворами разных типов проводимости. Рассчитаны зависимости величины паразитного туннельного тока от координаты вдоль проводящего канала транзистора. Рассмотрено влияние на них уровня легирования плавающего затвора и показано, что эти зависимости имеют слабо выраженный U-образный вид.

Тип: Article