Генерационные характеристики кристалла коррунда с титаном при диодной накачке в спектральной области около 444 нм

Кисель, В. Э.; Горбаченя, К. Н.; Гоман, В. И.

Генерационные характеристики кристалла коррунда с титаном при диодной накачке в спектральной области около 444 нм

Кисель, В. Э., Горбаченя, К. Н., Гоман, В. И.

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-05-27T12:29:15Z

Аннотация:

Исследованы генерационные характеристики кристаллов Ti3+:Al2O3 при накачке излучением InGaN лазерного диода в спектральной области 444 нм. Измерены выходные характеристики излучателя: пороговые мощности накачки, эффективность генерации, зависимости выходной мощности лазера от мощности накачки, спектральные характеристики излучения.

Тип: Article

Генерационные характеристики кристалла коррунда с титаном при диодной накачке в спектральной области около 444 нм

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация