Проведены экспериментальные исследования и расчеты влияния ВЧ и СВЧ электромагнитных помех на характеристики и параметры p-n-перехода и биполярного транзистора (БТ). Разработанные точные модели воздействия электромагнитных помех на простейшие полупроводниковые приборы (1111) позволяют значительно снизить затраты по оценке восприимчивости более сложных интегральных схем (ИС) и электронных устройств.