Графен, обладающий высокой подвижностью носителей заряда, которая превышает подвижность носителей заряда для всех известных материалов, рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов. Приведены результаты моделирования интенсивностей рассеивания электронов на акустических и оптических фононах в слое графена, который модифицирован атомами фтора, без учета воздействия подложки. При моделировании этих интенсивностей рассмотрен вариант одновременного протекания процессов излучения и поглощения фононов. Полученные зависимости интенсивностей рассеивания носителей заряда позволят путем моделирования с использованием метода Монте Карло исследовать основные характеристики переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах, содержащих слои модифицированного графена. Полученные в результате моделирования характеристики и параметры рассмотренного соединения могут быть использованы для создания новых гетероструктурных приборов, обладающих улучшенными выходными характеристиками.